收藏本站
IRL640S, SiHL640S
Vishay Siliconix
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91306
S11-1055-Rev. C, 30-May-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRLBD59N04ETRLP MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
IRLD014 MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
IRLHM620TR2PBF MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
IRLI2203N MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
IRLI2505 MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
IRLI2910 MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
IRLI3803 MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
IRLI520N MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
相关代理商/技术参数
IRL640STRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL641 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB
IRL650A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL6903 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
IRL6903L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA
IRL6903S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB
IRL7833 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRL7833L 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET